Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223540| Заглавие документа: | Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелия |
| Авторы: | Тарасик, М. И. Петлицкий, А. Н. Соловьев, Я. А. Федотов, А. К. Янченко, А. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 185-187 |
| Аннотация: | В современных технологиях создания СБИС и оптоэлектронных полупроводниковых приборов наблюдается тенденция использования ионной имплантации примесей, не относящихся к легирующим. Интересными для промышленного применения являются методы создания внутреннего геттерирующего слоя, основанные на внедрении ионов Н+ и Не+ со средними дозами. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223540 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 185-187.pdf | 527,65 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.