Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелия

Тарасик, М. И.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Федотов, А. К.; Янченко, А. М.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223540

Title:	Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелия
Authors:	Тарасик, М. И. Петлицкий, А. Н. Соловьев, Я. А. Федотов, А. К. Янченко, А. М.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2008
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 185-187
Abstract:	В современных технологиях создания СБИС и оптоэлектронных полупроводниковых приборов наблюдается тенденция использования ионной имплантации примесей, не относящихся к легирующим. Интересными для промышленного применения являются методы создания внутреннего геттерирующего слоя, основанные на внедрении ионов Н+ и Не+ со средними дозами.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/223540
ISBN:	978-985-518-091-4
Appears in Collections:	2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
185-187.pdf		527,65 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar