Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223540Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Тарасик, М. И. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
| dc.contributor.author | Федотов, А. К. | - |
| dc.contributor.author | Янченко, А. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-11T08:26:42Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-11T08:26:42Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 185-187 | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-518-091-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223540 | - |
| dc.description.abstract | В современных технологиях создания СБИС и оптоэлектронных полупроводниковых приборов наблюдается тенденция использования ионной имплантации примесей, не относящихся к легирующим. Интересными для промышленного применения являются методы создания внутреннего геттерирующего слоя, основанные на внедрении ионов Н+ и Не+ со средними дозами. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелия | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 185-187.pdf | 527,65 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.