Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелия

Тарасик, М. И.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Федотов, А. К.; Янченко, А. М.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223540

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Тарасик, М. И.	-
dc.contributor.author	Петлицкий, А. Н.	-
dc.contributor.author	Соловьев, Я. А.	-
dc.contributor.author	Федотов, А. К.	-
dc.contributor.author	Янченко, А. М.	-
dc.date.accessioned	2019-07-11T08:26:42Z	-
dc.date.available	2019-07-11T08:26:42Z	-
dc.date.issued	2008	-
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 185-187	ru
dc.identifier.isbn	978-985-518-091-4	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/223540	-
dc.description.abstract	В современных технологиях создания СБИС и оптоэлектронных полупроводниковых приборов наблюдается тенденция использования ионной имплантации примесей, не относящихся к легирующим. Интересными для промышленного применения являются методы создания внутреннего геттерирующего слоя, основанные на внедрении ионов Н+ и Не+ со средними дозами.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	Минск : БГУ	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелия	ru
dc.type	conference paper	ru
Appears in Collections:	2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
185-187.pdf		527,65 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar