Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223448
Заглавие документа: | Электрически активные дефекты, содержащие вакансии и атомы кислорода в облученных кристаллах германия |
Авторы: | Маркевич, В. П. Мурин, Л. И. Литвинов, В. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2008 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 156-160 |
Аннотация: | В последние годы наблюдается возрастающий интерес к использованию германия в производстве полупроводниковых приборов, в частности, таких как солнечные элементы с несколькими p-n-переходами и наноразмерные полевые транзисторы с германиевой базой и изолирующими пленками на основе материалов с высокой диэлектрической проницаемостью. В отличие от кремния кристаллы германия, выращенные по методу Чохральского по стандартной технологии, содержат относительно небольшие концентрации атомов кислорода. Так как примесь кислорода широко используется в технологии производства приборов на основе кремния для улучшения механических свойств пластин и внутреннего гетерирования примесей некоторых металлов, то встает вопрос, будет ли легирование кислородом столь же полезным для производства приборов на базе германия. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223448 |
ISBN: | 978-985-518-091-4 |
Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
156-160.pdf | 832,32 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.