Электрически активные дефекты, содержащие вакансии и атомы кислорода в облученных кристаллах германия

Abstract

В последние годы наблюдается возрастающий интерес к использованию герма­ния в производстве полупроводниковых приборов, в частности, таких как солнечные элементы с несколькими p-n-переходами и наноразмерные полевые транзисторы с германиевой базой и изолирующими пленками на основе материалов с высокой ди­электрической проницаемостью. В отличие от кремния кристаллы германия, вы­ращенные по методу Чохральского по стандартной технологии, содержат относи­тельно небольшие концентрации атомов кислорода. Так как примесь кислорода широко используется в технологии производства приборов на основе кремния для улучшения механических свойств пластин и внутреннего гетерирования примесей некоторых металлов, то встает вопрос, будет ли легирование кислородом столь же полезным для производства приборов на базе германия.