Влияние пространственного квантования на ВАХ одноэлектронных структур

Abstract

Одним из перспективных направлений в наноэлектронике является разработка и исследование одноэлектронных приборных структур. С уменьшением размеров этих структур становится важным учет пространственного квантования. В литерату­ре, однако, существует противоречивое мнение по данному вопросу. С одной сторо­ны, оценки показывают, что в большинстве случаев для металлических одноэлектронных структур при моделировании можно не учитывать дискретность спектра электродов и островков. С другой стороны, экспериментальные исследования свиде­тельствуют, что при малых размерах островков влияние дискретности уровней мо­жет быть важным. Целью работы является исследование влияния пространственного квантования на островках на вольт-амперные характеристики (ВАХ) рассматриваемого типа при­боров с помощью предложенных моделей.