Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223461| Заглавие документа: | Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнии |
| Авторы: | Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Литвинко, А. Г. Комаров, Б. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 166-171 |
| Аннотация: | Примесные атомы переходных металлов Cu, Ni и Fe являются быстродиффундирующими в кристаллах кремния и могут легко проникать в структуры на основе Si из внешней среды. Эти примеси считаются опасными в технологии производства приборов на основе Si, так как обладают достаточно высокой растворимостью и ответственны за образование ряда электрически активных дефектов в кристаллах Si. В работах предполагалось, что примеси переходных металлов могут быть ответственными за ускоренный отжиг радиационных дефектов (Рд) и формирование новых электрически активных комплексов в облученных кристаллах Si. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223461 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 166-171.pdf | 990,53 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.