Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнии

Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.; Комаров, Б. А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223461

Title:	Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнии
Authors:	Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Литвинко, А. Г. Комаров, Б. А.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2008
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 166-171
Abstract:	Примесные атомы переходных металлов Cu, Ni и Fe являются быстродиффундирующими в кристаллах кремния и могут легко проникать в структуры на основе Si из внешней среды. Эти примеси считаются опасными в технологии производства приборов на основе Si, так как обладают достаточно высокой растворимостью и ответственны за образование ряда электрически активных дефектов в кристаллах Si. В работах предполагалось, что примеси переходных металлов могут быть ответственными за ускоренный отжиг радиационных дефектов (Рд) и формирование новых электрически активных комплексов в облученных кристаллах Si.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/223461
ISBN:	978-985-518-091-4
Appears in Collections:	2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
166-171.pdf		990,53 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar