Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнии

Abstract

Примесные атомы переходных металлов Cu, Ni и Fe являются быстродиффунди­рующими в кристаллах кремния и могут легко проникать в структуры на основе Si из внешней среды. Эти примеси считаются опасными в технологии производства приборов на основе Si, так как обладают достаточно высокой растворимостью и от­ветственны за образование ряда электрически активных дефектов в кристаллах Si. В работах предполагалось, что примеси переходных металлов могут быть ответ­ственными за ускоренный отжиг радиационных дефектов (Рд) и формирование но­вых электрически активных комплексов в облученных кристаллах Si.