Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329575| Заглавие документа: | Влияние инжекции электронов на профиль распределения дырок в р–базе кремниевых n+–p-структур, облученных альфа-частицами |
| Другое заглавие: | Effect of electron injection on the hole distribution profile in the p-base of silicon n+–p-structures irradiated with alpha particles / D. N. Jdanovich, S. B. Lastovskii, L. F. Makarenko, V. P. Markevich, I. F. Medvedeva, D. А. Aharodnikau |
| Авторы: | Жданович, Д. Н. Ластовский, С. Б. Макаренко, Л. Ф. Маркевич, В. П. Медведева, И. Ф. Огородников, Д. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 257-262. |
| Аннотация: | Изучена кинетика инжекционного отжига собственных междоузельных атомов кремния в двукратно положительном зарядовом состоянии в р-области кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами. Показано, что зависимости концентрации дефектов от прошедшего через n+-p-структуру электрического заряда Q имеют нелинейный характер. |
| Аннотация (на другом языке): | The kinetics of injection annealing of intrinsic interstitial silicon atoms in a doubly positive charge state in the p-region of silicon n+–p-structures irradiated with alpha particles was studied. It was shown that the dependences of the defect concentration on the electric charge Q passed through the n+–p-structure are nonlinear |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329575 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 257-262.pdf | 424,33 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.