Влияние инжекции электронов на профиль распределения дырок в р–базе кремниевых n+–p-структур, облученных альфа-частицами

Жданович, Д. Н.; Ластовский, С. Б.; Макаренко, Л. Ф.; Маркевич, В. П.; Медведева, И. Ф.; Огородников, Д. А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329575

Title:	Влияние инжекции электронов на профиль распределения дырок в р–базе кремниевых n+–p-структур, облученных альфа-частицами
Other Titles:	Effect of electron injection on the hole distribution profile in the p-base of silicon n+–p-structures irradiated with alpha particles / D. N. Jdanovich, S. B. Lastovskii, L. F. Makarenko, V. P. Markevich, I. F. Medvedeva, D. А. Aharodnikau
Authors:	Жданович, Д. Н. Ластовский, С. Б. Макаренко, Л. Ф. Маркевич, В. П. Медведева, И. Ф. Огородников, Д. А.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 257-262.
Abstract:	Изучена кинетика инжекционного отжига собственных междоузельных атомов кремния в двукратно положительном зарядовом состоянии в р-области кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами. Показано, что зависимости концентрации дефектов от прошедшего через n+-p-структуру электрического заряда Q имеют нелинейный характер.
Abstract (in another language):	The kinetics of injection annealing of intrinsic interstitial silicon atoms in a doubly positive charge state in the p-region of silicon n+–p-structures irradiated with alpha particles was studied. It was shown that the dependences of the defect concentration on the electric charge Q passed through the n+–p-structure are nonlinear
Description:	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/329575
ISBN:	978-985-881-739-8
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
257-262.pdf		424,33 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar