Logo BSU

Просмотр "2024. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 134  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2025Migration of impurity Ni atomic clusters in Si latticeIsmaylov, B. K.; Zikrillayev, Z. N.; Ismailov, K. A.; Kenzhaev, Z. T.; Saparov, S. A.
2025Optical activity in Mn doped As2S3 glassesZalamai, V. V.; Tiron, A. V.
2025Temperature dependent parameters of single walled carbon nanotubes/Si heterojunctionsDronina, L. A.; Kovalchuk, N. G.; Lutsenko, E. V.; Danilchyk, A. V.; Prischepa, S. L.
2025Using multimedia to еxplain semiconductor physics to studеntsAmetov, R. A.
2025Автоколебательная среда на основе компенсированного кремнияЗикриллаев, Н. Ф.; Аюпов, К. С.; Шоабдурахимова, М. М.; Сатторов, А. А.; Абдуллаева, Н.
2025Асимптотический метод усреднения и динамический эффект Казимира в оптомеханикеСайко, А. П.; Маркевич, С. А.
2025Барьерные структуры на основе HPHT алмаза: фоточувствительность и ток, индуцированный электронным лучомМазаник, А. В.; Казючиц, Н. М.; Русецкий, М. С.; Казючиц, В. Н.
2025ВАХ структур Al/SiO2<InSb>/Si/Al: эволюция дефектов в процессе отжигаЛеоненко, В. Ю.; Федотов, А. К.; Тысченко, И. Е.; Федотова, Ю. А.
2025Влияние вертикальной геометрии периодических микроструктур Si/SiO2/Si на интенсивность поглощения оптического излученияМухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.
2025Влияние взаимодиффузии на решеточную теплопроводность в сверхрешетчатых нанопроволоках Si/GeХомец, А. Л.; Сафронов, И. В.; Филонов, А. Б.; Мигас, Д. Б.
2025Влияние внедрения алкиламмониевых солей на свойства металлорганических перовскитовБудник, В. С.; Тучковский, А. К.
2025Влияние дозы имплантации ионов сурьмы (Е = 60 кэВ) на парамагнетизм пленок ПЭТФОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Лапчук, Т. М.; Телеш, Е. В.; Лапчук, Н. М.; Никонович, Н. А.; Клепицкая, Е. И.
2025Влияние имплантации гелия на структурные свойства неупорядоченных пленок оксидов оловаКругляк, А. И.; Tuan, P. L.; Исаев, Р. С.; Ксеневич, В. К.; Доросинец, В. А.; Самарина, М. А.; Адамчук, Д. В.; Дорошкевич, А. С.
2025Влияние инжекции электронов на профиль распределения дырок в р–базе кремниевых n+–p-структур, облученных альфа-частицамиЖданович, Д. Н.; Ластовский, С. Б.; Макаренко, Л. Ф.; Маркевич, В. П.; Медведева, И. Ф.; Огородников, Д. А.
2025Влияние кластеров никеля на эксплуатационные параметры кремниевого солнечного элементаКенжаев, З. Т.; Зикриллаев, Н. Ф.; Оджаев, В. Б.; Исмайлов, К. А.; Просолович, В. С.; Исмайлов, Б. К.; Абдужалилов, А. А.; Абдикаримова, М. А.
2025Влияние природы имплантируемого иона и вида полимерной матрицы на накопление парамагнитных дефектов в облученных образцахОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Лапчук, Т. М.; Sambuu, Munkhtsetseg; Лапчук, Н. М.; Волобуев, В. С.; Мироненко, О. С.
2025Влияние экранирования электронных пучков на скорость накопления радиационных дефектов в кремнии и кремний-германиевых сплавахЛастовский, С. Б.; Макаренко, Л. Ф.
2025Воздействие импульсного ионизирующего излучения на электронные компонентыБогатырев, Ю. В.; Огородников, Д. А.; Бурый, Е. Д.
2025Вольт-амперная характеристика КМОП транзистора при формировании омического контакта алюминий-поликремний с помощью быстрой и длительной термообработкиПилипенко, В. А.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2025Выбор атомов марганца в качестве парамагнитной примеси в кремнииУролбоев, Х.; Мавлонов, Г. Х.; Саттаров, О. Э.; Тачилин, С. А.