Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329514| Заглавие документа: | Влияние взаимодиффузии на решеточную теплопроводность в сверхрешетчатых нанопроволоках Si/Ge |
| Другое заглавие: | Effect of interfacial species mixing on the lattice thermal conductivity in superlattice Si/Ge nanowires / A. L. Khamets, I. V. Safronov, A. B. Filonov, D. B. Migas |
| Авторы: | Хомец, А. Л. Сафронов, И. В. Филонов, А. Б. Мигас, Д. Б. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 571-576. |
| Аннотация: | В работе с помощью методов молекулярной динамики проведено исследование влияния диффузионного перемешивания на границах раздела на решеточную теплопроводность сверхрешетчатых Si/Ge нанопроволок с <001>, <110>, <111>, <112> направлениями роста. Показано, что при увеличении толщины диффузионно-перемешанных границ раздела с 0 до 2 моноатомных слоев наибольшее снижение теплопроводности на ~43–57 % до значений порядка ~1.2–1.8 Вт/(м·К) характерно для <001>, <110> и <111> нанопроволок. Обсуждена роль механизмов рассеяния фононов в сверхрешетчатых Si/Ge нанопроволках с различным диффузионным перемешиванием на границе раздела |
| Аннотация (на другом языке): | In this work by means of molecular dynamics we investigated effects of interdiffusion at the interfaces of superlattice Si/Ge nanowires with <001>, <110>, <111>, <112> orientations on the phonon thermal conductivity. It was shown that with an increase in thickness of diffusion-mixed interfaces from 0 to 2 monoatomic layers, the largest decrease in thermal conductivity by ~43–57 % corresponding values of 1.2–1.8 W/(m·K) was typical of <001>, <110> and <111> oriented nanowires. The role of phonon scattering mechanisms in superlattice Si/Ge nanowires with different interdiffusion at the interfaces was discussed |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329514 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 571-576.pdf | 404,14 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.