Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329514Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Сафронов, И. В. | |
| dc.contributor.author | Филонов, А. Б. | |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:48:58Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:48:58Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 571-576. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329514 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | В работе с помощью методов молекулярной динамики проведено исследование влияния диффузионного перемешивания на границах раздела на решеточную теплопроводность сверхрешетчатых Si/Ge нанопроволок с <001>, <110>, <111>, <112> направлениями роста. Показано, что при увеличении толщины диффузионно-перемешанных границ раздела с 0 до 2 моноатомных слоев наибольшее снижение теплопроводности на ~43–57 % до значений порядка ~1.2–1.8 Вт/(м·К) характерно для <001>, <110> и <111> нанопроволок. Обсуждена роль механизмов рассеяния фононов в сверхрешетчатых Si/Ge нанопроволках с различным диффузионным перемешиванием на границе раздела | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние взаимодиффузии на решеточную теплопроводность в сверхрешетчатых нанопроволоках Si/Ge | |
| dc.title.alternative | Effect of interfacial species mixing on the lattice thermal conductivity in superlattice Si/Ge nanowires / A. L. Khamets, I. V. Safronov, A. B. Filonov, D. B. Migas | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | In this work by means of molecular dynamics we investigated effects of interdiffusion at the interfaces of superlattice Si/Ge nanowires with <001>, <110>, <111>, <112> orientations on the phonon thermal conductivity. It was shown that with an increase in thickness of diffusion-mixed interfaces from 0 to 2 monoatomic layers, the largest decrease in thermal conductivity by ~43–57 % corresponding values of 1.2–1.8 W/(m·K) was typical of <001>, <110> and <111> oriented nanowires. The role of phonon scattering mechanisms in superlattice Si/Ge nanowires with different interdiffusion at the interfaces was discussed | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 571-576.pdf | 404,14 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.