Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329497| Заглавие документа: | Влияние вертикальной геометрии периодических микроструктур Si/SiO2/Si на интенсивность поглощения оптического излучения |
| Другое заглавие: | Influence of vertical geometry of periodic microstructures Si/SiO2/Si on the absorption intensity of optical radiation / A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Мухаммад, А. И. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 488-492. |
| Аннотация: | Обнаружено нетривиальное влияние вертикальной геометрии на величину оптического поглощения в микроструктурах p+-Si/SiO2/n+-Si. Установлено, что увеличение толщины подложки p+-Si приводит к расширению спектрального диапазона с интенсивностью поглощения выше 60 %. Показано, что увеличение высоты островкового слоя приводит к нелинейному росту поглощения в диапазоне 8–17 мкм с максимумом 98 % при высоте Si-островка 2000 нм. Толщина слоя SiO2 влияет на спектр поглощения структур p+-Si/SiO2/n+-Si в диапазоне 10–20 мкм. Уменьшение толщины менее 200 нм и увеличение более 700 нм приводит к падению величины поглощения ниже 70 % из-за взаимодействия плазмонных мод, возникающих на границах раздела Si+/SiO2, а также вследствие интерференционных эффектов и переотражения соответственно |
| Аннотация (на другом языке): | A nontrivial effect of vertical geometry on the optical absorption value in p+-Si/SiO2/n+-Si microstructures has been discovered. It was found that increasing the thickness of the p+-Si substrate leads to an expansion of the spectral range with an absorption intensity above 60 %. It was shown that an increase in the island layer height leads to an increase in absorption in the range of 8–17 μm with a maximum of 98 % at a Si-island height of 2000 nm. The SiO2 layer thickness affects the absorption spectrum of p+-Si/SiO2/n+-Si structures in the range of 10–20 μm. A decrease in the thickness of less than 200 nm and an increase of more than 700 nm leads to a drop in the absorption value below 70% due to the interaction of plasmon modes arising at the Si+/SiO2 interfaces and due to interference effects and re-reflection, respectively |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329497 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены в рамках проекта Государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702). |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 488-492.pdf | 400,11 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.