Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329497Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мухаммад, А. И. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:48:56Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:48:56Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 488-492. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329497 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Обнаружено нетривиальное влияние вертикальной геометрии на величину оптического поглощения в микроструктурах p+-Si/SiO2/n+-Si. Установлено, что увеличение толщины подложки p+-Si приводит к расширению спектрального диапазона с интенсивностью поглощения выше 60 %. Показано, что увеличение высоты островкового слоя приводит к нелинейному росту поглощения в диапазоне 8–17 мкм с максимумом 98 % при высоте Si-островка 2000 нм. Толщина слоя SiO2 влияет на спектр поглощения структур p+-Si/SiO2/n+-Si в диапазоне 10–20 мкм. Уменьшение толщины менее 200 нм и увеличение более 700 нм приводит к падению величины поглощения ниже 70 % из-за взаимодействия плазмонных мод, возникающих на границах раздела Si+/SiO2, а также вследствие интерференционных эффектов и переотражения соответственно | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта Государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние вертикальной геометрии периодических микроструктур Si/SiO2/Si на интенсивность поглощения оптического излучения | |
| dc.title.alternative | Influence of vertical geometry of periodic microstructures Si/SiO2/Si on the absorption intensity of optical radiation / A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | A nontrivial effect of vertical geometry on the optical absorption value in p+-Si/SiO2/n+-Si microstructures has been discovered. It was found that increasing the thickness of the p+-Si substrate leads to an expansion of the spectral range with an absorption intensity above 60 %. It was shown that an increase in the island layer height leads to an increase in absorption in the range of 8–17 μm with a maximum of 98 % at a Si-island height of 2000 nm. The SiO2 layer thickness affects the absorption spectrum of p+-Si/SiO2/n+-Si structures in the range of 10–20 μm. A decrease in the thickness of less than 200 nm and an increase of more than 700 nm leads to a drop in the absorption value below 70% due to the interaction of plasmon modes arising at the Si+/SiO2 interfaces and due to interference effects and re-reflection, respectively | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 488-492.pdf | 400,11 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.