Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329537| Заглавие документа: | Migration of impurity Ni atomic clusters in Si lattice |
| Авторы: | Ismaylov, B. K. Zikrillayev, Z. N. Ismailov, K. A. Kenzhaev, Z. T. Saparov, S. A. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 6-9. |
| Аннотация: | New physical phenomenon, the migration of clusters of impurity nickel atoms in silicon, has been discovered. It was shown that clusters move in the silicon lattice with a high diffusion coefficient (DNi ~ 10–9 cm2/s at T = 800 °C). The composition of the clusters is determined, its structure and diffusion mechanism are proposed. It was shown that it is possible to control the state of clusters in the crystal lattice, thus, to obtain semiconductor materials of a new type with unique functional capabilities, using the process of migration of clusters of impurity nickel atoms |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329537 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.