Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329534| Заглавие документа: | Влияние имплантации гелия на структурные свойства неупорядоченных пленок оксидов олова |
| Другое заглавие: | The effect of helium implantation on the structural properties of disordered tin oxide films / A. I. Kruglyak, P. L. Tuan, R. S. Isayev, V. K. Ksenevich, V. A. Dorosinets, M. A. Samarina, D. V. Adamchuk, A. S. Doroshkevich |
| Авторы: | Кругляк, А. И. Tuan, P. L. Исаев, Р. С. Ксеневич, В. К. Доросинец, В. А. Самарина, М. А. Адамчук, Д. В. Дорошкевич, А. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 75-80. |
| Аннотация: | Проведена имплантация ионов He+ в пленки оксидов олова для модификации их структурных свойств. С использованием методики рентгеновского дифракционного анализа установлено, что как исходные, так и подвергнутые ионной имплантации пленки имеют многофазную структуру, в состав которой входят фазы SnO, SnO2 и Sn2O3. Методом Резерфордовского обратного рассеяния установлено, что имплантация ионов He+ с энергией E = 2,4 МэВ при дозе облучения 1,1×10 16 cм−2 в неупорядоченные пленки оксидов олова не приводит к существенному перераспределению между содержанием атомов Sn и О по всей толщине пленок |
| Аннотация (на другом языке): | He+ ion implantation was applied to modify the structural properties of tin oxide films. On the basis of the X-ray diffraction analysis it was found that both the initial and ion-implanted films are characterized by a multiphase structure consisting of SnO, SnO2, and Sn2O3 phases. By means of the Rutherford back-scattering method it was established that the implantation of He + ions with energy E = 2.4 MeV at an irradiation dose of 1.1×10 16 cm−2 into disordered films of tin oxides does not induce a significant redistribution between the content of Sn and O atoms through the whole films’ thickness |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329534 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках программы сотрудничества Беларусь-ОИЯИ, а также в рамках задания ГПНИ 3.02.1 (НИР 4) «Конвергенция-2025». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.