Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2024. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329534
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКругляк, А. И.
dc.contributor.authorTuan, P. L.
dc.contributor.authorИсаев, Р. С.
dc.contributor.authorКсеневич, В. К.
dc.contributor.authorДоросинец, В. А.
dc.contributor.authorСамарина, М. А.
dc.contributor.authorАдамчук, Д. В.
dc.contributor.authorДорошкевич, А. С.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:03Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:03Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 75-80.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329534-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractПроведена имплантация ионов He+ в пленки оксидов олова для модификации их структурных свойств. С использованием методики рентгеновского дифракционного анализа установлено, что как исходные, так и подвергнутые ионной имплантации пленки имеют многофазную структуру, в состав которой входят фазы SnO, SnO2 и Sn2O3. Методом Резерфордовского обратного рассеяния установлено, что имплантация ионов He+ с энергией E = 2,4 МэВ при дозе облучения 1,1×10 16 cм−2 в неупорядоченные пленки оксидов олова не приводит к существенному перераспределению между содержанием атомов Sn и О по всей толщине пленок
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках программы сотрудничества Беларусь-ОИЯИ, а также в рамках задания ГПНИ 3.02.1 (НИР 4) «Конвергенция-2025».
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние имплантации гелия на структурные свойства неупорядоченных пленок оксидов олова
dc.title.alternativeThe effect of helium implantation on the structural properties of disordered tin oxide films / A. I. Kruglyak, P. L. Tuan, R. S. Isayev, V. K. Ksenevich, V. A. Dorosinets, M. A. Samarina, D. V. Adamchuk, A. S. Doroshkevich
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeHe+ ion implantation was applied to modify the structural properties of tin oxide films. On the basis of the X-ray diffraction analysis it was found that both the initial and ion-implanted films are characterized by a multiphase structure consisting of SnO, SnO2, and Sn2O3 phases. By means of the Rutherford back-scattering method it was established that the implantation of He + ions with energy E = 2.4 MeV at an irradiation dose of 1.1×10 16 cm−2 into disordered films of tin oxides does not induce a significant redistribution between the content of Sn and O atoms through the whole films’ thickness
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
75-80.pdf407,64 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.