Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329534Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кругляк, А. И. | |
| dc.contributor.author | Tuan, P. L. | |
| dc.contributor.author | Исаев, Р. С. | |
| dc.contributor.author | Ксеневич, В. К. | |
| dc.contributor.author | Доросинец, В. А. | |
| dc.contributor.author | Самарина, М. А. | |
| dc.contributor.author | Адамчук, Д. В. | |
| dc.contributor.author | Дорошкевич, А. С. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:03Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:03Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 75-80. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329534 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Проведена имплантация ионов He+ в пленки оксидов олова для модификации их структурных свойств. С использованием методики рентгеновского дифракционного анализа установлено, что как исходные, так и подвергнутые ионной имплантации пленки имеют многофазную структуру, в состав которой входят фазы SnO, SnO2 и Sn2O3. Методом Резерфордовского обратного рассеяния установлено, что имплантация ионов He+ с энергией E = 2,4 МэВ при дозе облучения 1,1×10 16 cм−2 в неупорядоченные пленки оксидов олова не приводит к существенному перераспределению между содержанием атомов Sn и О по всей толщине пленок | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках программы сотрудничества Беларусь-ОИЯИ, а также в рамках задания ГПНИ 3.02.1 (НИР 4) «Конвергенция-2025». | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние имплантации гелия на структурные свойства неупорядоченных пленок оксидов олова | |
| dc.title.alternative | The effect of helium implantation on the structural properties of disordered tin oxide films / A. I. Kruglyak, P. L. Tuan, R. S. Isayev, V. K. Ksenevich, V. A. Dorosinets, M. A. Samarina, D. V. Adamchuk, A. S. Doroshkevich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | He+ ion implantation was applied to modify the structural properties of tin oxide films. On the basis of the X-ray diffraction analysis it was found that both the initial and ion-implanted films are characterized by a multiphase structure consisting of SnO, SnO2, and Sn2O3 phases. By means of the Rutherford back-scattering method it was established that the implantation of He + ions with energy E = 2.4 MeV at an irradiation dose of 1.1×10 16 cm−2 into disordered films of tin oxides does not induce a significant redistribution between the content of Sn and O atoms through the whole films’ thickness | |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.