Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329596| Заглавие документа: | Temperature dependent parameters of single walled carbon nanotubes/Si heterojunctions |
| Авторы: | Dronina, L. A. Kovalchuk, N. G. Lutsenko, E. V. Danilchyk, A. V. Prischepa, S. L. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 349-354. |
| Аннотация: | In this study, the forward bias I-V characteristics of SWCNT/n-Si heterojunctions were studied in the wide temperature range of 20–315 K in order to get detailed information on the barrier heights distribution (ϕB). Schottky barrier height (SBH) and η, values and their dependencies on temperature were obtained by using Cheung-Cheung method, considering the presence of the interface native oxide layer. In order to explain the origin of anomalous temperature behavior of SBH and η, the temperature dependent barrier inhomogeneities were evaluated assuming the Gaussian distributions of the SBH |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329596 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 349-354.pdf | 602,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.