Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329548
Заглавие документа: | Optical activity in Mn doped As2S3 glasses |
Авторы: | Zalamai, V. V. Tiron, A. V. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2025 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 9-13. |
Аннотация: | Spectral dependences of transmittance (T) and wavelength modulated transmittance (ΔT/Δλ) of As2S3 layers doped by manganese (Mn) of different concentrations (0 – 0.5 %) were investigated at temperatures from 10 K to 300 K. Photoluminescence bands at 1.762 eV, 2.107 eV and 2.282 eV due to transition 4A2g(4F) → 4Eg(2G), 4T1g(4G) → 6A1g(4F) and 4T2g → 6A1g of Mn ions, respectively were observed at argon laser excitation. On the luminescence spectra the absorption bands of electron transitions 6A1g(4F) → 4T1g(4G) were recognized. The magnitude of refractive index (n) of Mn (0.1 % and 0.5 %) ions doped As2S3 layers in low-energy range (1.6–1.9 eV) does not change at temperature decreasing from 300 to 10 K |
Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329548 |
ISBN: | 978-985-881-739-8 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.