Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329549| Заглавие документа: | Вольт-амперная характеристика КМОП транзистора при формировании омического контакта алюминий-поликремний с помощью быстрой и длительной термообработки |
| Другое заглавие: | Volt-amp characteristic of a CMOS transistor when forming an aluminum-polysilicon ohmic contact by fast and long-term heat treatment / V. A. Pilipenko, D. V. Zhyhulin, D. V. Shestovski, V. M. Anishchik, V. V. Ponaryadov |
| Авторы: | Пилипенко, В. А. Жигулин, Д. В. Шестовский, Д. В. Анищик, В. М. Понарядов, В. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 139-142. |
| Аннотация: | Рассмотрено влияние быстрой и длительной термообработки на формирование омических контактов алюминий-поликремний на примере КМОП транзистора интегральной микросхемы. Качество формирования контактов оценивалось с помощью вольт-амперной характеристики тока стока от напряжения на стоке тестового транзистора. Для этого на затвор подавалось постоянное напряжение 5 В, а между истоком и стоком 0–5 В. Сравнивались два транзистора, омические контакты которых были сформированы с помощью как быстрой термической обработки (450 °С, 7 с), так и длительной (450 °С, 20 мин), применяемой в базовом технологическом процессе производства микросхем. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что ток стока транзистора с быстрой термической обработкой ниже, чем у транзистора с длительной термической обработкой. Данный факт обусловлен микрорельефом контакта алюминий-поликремний, который при быстрой термообработки более развит и имеет меньшую площадь соприкосновения, чем при длительной термообработке |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of fast and long-term heat treatment on the formation of aluminum-polysilicon ohmic contacts is considered using a CMOS transistor of an integrated circuit as an example. The quality of contact formation was estimated using the current-voltage characteristic of the drain current versus the drain voltage of the test transistor. For this purpose, a constant voltage of 5 V was applied to the gate, and 0–5 V between the source and drain. Two transistors were compared whose ohmic contacts were formed using both fast heat treatment (450 °C, 7 s) and long-term heat treatment (450 °C, 20 min) used in the basic technological process of microcircuit production. Analysis of the current-voltage characteristics showed that the drain current of the transistor with fast heat treatment is lower than that of the transistor with long heat treatment. This fact is due to the microrelief of the aluminum-polysilicon contact, which is more developed during rapid heat treatment and has a smaller contact area than during prolonged heat treatment |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329549 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 139-142.pdf | 391,85 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.