ВАХ структур Al/SiO2<InSb>/Si/Al: эволюция дефектов в процессе отжига

Abstract

Изучена зависимость плотности тока J от электрического поля смещения E и температуры Т в структурах Al/Si/SiO2<InSb>/Al до и после отжига при температурах 800 and 1100 °C, в слой SiO2 которых были имплантированы ионы Sb+ and In+. Показано, что при 0 < E < 6.7×10 7 В/м и 2 < T < 300 K кривые J(E, T) для всех образцов подчиняются омическому закону. В целом при T < 40 K кривые J(E, T) описываются моделью токов, ограниченных объемным зарядом (ТООЗ) Мотта-Герни, которая учитывает наличие моноэнергетических ловушек в середине запрещенной зоны SiO2 слоя. При T > 40 K поведение кривых J(E, T) соответствует модели ТООЗ Марка-Хельфриха, учитывающей перезарядку состояний ловушек в экспоненциальных «хвостах» локализованных состояний в разрешенных зонах SiO2. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения перемещения уровня Ферми по локализованным состояниям в энергетических зонах слоя SiO2<InSb> под действием температуры, поля и эволюции дефектов структуры вследствие отжига