Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2024. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329575
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖданович, Д. Н.
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.
dc.contributor.authorМакаренко, Л. Ф.
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.
dc.contributor.authorМедведева, И. Ф.
dc.contributor.authorОгородников, Д. А.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:12Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:12Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 257-262.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329575-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractИзучена кинетика инжекционного отжига собственных междоузельных атомов кремния в двукратно положительном зарядовом состоянии в р-области кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами. Показано, что зависимости концентрации дефектов от прошедшего через n+-p-структуру электрического заряда Q имеют нелинейный характер.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние инжекции электронов на профиль распределения дырок в р–базе кремниевых n+–p-структур, облученных альфа-частицами
dc.title.alternativeEffect of electron injection on the hole distribution profile in the p-base of silicon n+–p-structures irradiated with alpha particles / D. N. Jdanovich, S. B. Lastovskii, L. F. Makarenko, V. P. Markevich, I. F. Medvedeva, D. А. Aharodnikau
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe kinetics of injection annealing of intrinsic interstitial silicon atoms in a doubly positive charge state in the p-region of silicon n+–p-structures irradiated with alpha particles was studied. It was shown that the dependences of the defect concentration on the electric charge Q passed through the n+–p-structure are nonlinear
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
257-262.pdf424,33 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.