Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207617| Заглавие документа: | Влияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-Si |
| Другое заглавие: | Effect of preliminary heat-treatments at different temperatures on the processes of radiation-induced defects formation / I.F. Medvedeva, L.l. Murin, V.P. Markevich, A.G. Litvinko |
| Авторы: | Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Литвинко, А. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 173-175. |
| Аннотация: | Методом эффекта Холла изучены особенности образования и отжига радиационных дефектов (РД) в кристаллах n-Si, прошедших кратковременные предварительные термообработки (ПТО) при 700 и 1000 0C, Установлено, что такие ПТО кристаллов n-Si, полученных методом Чохральского, не оказывают заметного влияния на энергетический спектр и эффективность образования основных РД В то же время в кристаллах, прошедших ПТО, имеет место ускоренный отжиг РД и формирование новых электрически - активных центров. Эффект ПТО, вероятнее всего, связан с активацией быстродиффундирующих примесей водорода и переходных металлов и их взаимодействием с РД. |
| Аннотация (на другом языке): | The fonnation and annealing features of radiation induced defects (RDs) in n- Cz- Si crystals pre-heat-treated at 700 and 1000 0C for 30 min and irradiated with 80Co y-rays at room temperature have been studied by,Hall effect measurements. It is found that such pre-heat-treatments (PHTs) do not affect noticeably the type and introduction rate of the main RDs. The PHTs resulted in enhanced annealing of RDs with a simultaneous formation of new electrically active centers. It is suggested that the PHT effect is associated with an activation of fast-diffusing impurities like hydrogen and transition metals (up to solubility limit at the PHT temperature) and their interaction with radiation-induced defects. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207617 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 173-175.pdf | 2,67 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.