Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/207617
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМедведева, И. Ф.-
dc.contributor.authorМурин, Л. И.-
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.-
dc.contributor.authorЛитвинко, А. Г.-
dc.date.accessioned2018-10-24T08:11:53Z-
dc.date.available2018-10-24T08:11:53Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 173-175.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/207617-
dc.description.abstractМетодом эффекта Холла изучены особенности образования и отжига радиационных дефектов (РД) в кристаллах n-Si, прошедших кратковременные предварительные термообработки (ПТО) при 700 и 1000 0C, Установлено, что такие ПТО кристаллов n-Si, полученных методом Чохральского, не оказывают заметного влияния на энергетический спектр и эффективность образования основных РД В то же время в кристаллах, прошедших ПТО, имеет место ускоренный отжиг РД и формирование новых электрически - активных центров. Эффект ПТО, вероятнее всего, связан с активацией быстродиффундирующих примесей водорода и переходных металлов и их взаимодействием с РД.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-Siru
dc.title.alternativeEffect of preliminary heat-treatments at different temperatures on the processes of radiation-induced defects formation / I.F. Medvedeva, L.l. Murin, V.P. Markevich, A.G. Litvinkoru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe fonnation and annealing features of radiation induced defects (RDs) in n- Cz- Si crystals pre-heat-treated at 700 and 1000 0C for 30 min and irradiated with 80Co y-rays at room temperature have been studied by,Hall effect measurements. It is found that such pre-heat-treatments (PHTs) do not affect noticeably the type and introduction rate of the main RDs. The PHTs resulted in enhanced annealing of RDs with a simultaneous formation of new electrically active centers. It is suggested that the PHT effect is associated with an activation of fast-diffusing impurities like hydrogen and transition metals (up to solubility limit at the PHT temperature) and their interaction with radiation-induced defects.ru
Располагается в коллекциях:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
173-175.pdf2,67 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.