Влияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-Si

Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/207617

Title:	Влияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-Si
Other Titles:	Effect of preliminary heat-treatments at different temperatures on the processes of radiation-induced defects formation / I.F. Medvedeva, L.l. Murin, V.P. Markevich, A.G. Litvinko
Authors:	Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Литвинко, А. Г.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2003
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 173-175.
Abstract:	Методом эффекта Холла изучены особенности образования и отжига радиационных дефектов (РД) в кристаллах n-Si, прошедших кратковременные предварительные термообработки (ПТО) при 700 и 1000 0C, Установлено, что такие ПТО кристаллов n-Si, полученных методом Чохральского, не оказывают заметного влияния на энергетический спектр и эффективность образования основных РД В то же время в кристаллах, прошедших ПТО, имеет место ускоренный отжиг РД и формирование новых электрически - активных центров. Эффект ПТО, вероятнее всего, связан с активацией быстродиффундирующих примесей водорода и переходных металлов и их взаимодействием с РД.
Abstract (in another language):	The fonnation and annealing features of radiation induced defects (RDs) in n- Cz- Si crystals pre-heat-treated at 700 and 1000 0C for 30 min and irradiated with 80Co y-rays at room temperature have been studied by,Hall effect measurements. It is found that such pre-heat-treatments (PHTs) do not affect noticeably the type and introduction rate of the main RDs. The PHTs resulted in enhanced annealing of RDs with a simultaneous formation of new electrically active centers. It is suggested that the PHT effect is associated with an activation of fast-diffusing impurities like hydrogen and transition metals (up to solubility limit at the PHT temperature) and their interaction with radiation-induced defects.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/207617
ISBN:	985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:	2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
173-175.pdf		2,67 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar