Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215221
Title: Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа
Other Titles: Effect of irradiation temperature (Tirr = 80–700 K) with fast electrons and 60 Co γ-rays on production of radiation-induced defects in p-type Si / I. F. Medvedeva, L. I. Murin, V. P. Markevich, S. B. Lastovskii, A. А. Fadzeyeva
Authors: Медведева, И. Ф.
Мурин, Л. И.
Маркевич, В. П.
Ластовский, С. Б.
Фадеева, Е. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 163-167.
Abstract: Методами эффекта Холла и DLTS изучено влияние температуры облучения (Тобл.) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов (РД) в кремнии p-типа. Показано, что в области термической стабильности РД имеет место увеличение их скорости генерации с ростом Тобл.. Данный эффект обнаружен для междоузельных атомов углерода, а также для комплексов междоузельный углерод - междоузельный кислород и междоузельный бор - междоузельный кислород. Предполагается, что это обусловлено увеличением вероятности разделения близких пар Френкеля с ростом Тобл..
Abstract (in another language): Effect of irradiation temperature (Tirr) with fast electrons and 60Co γ-rays on the generation rate of radiation-induced defects (RDs) in p-type Si has been studied by means of DLTS and Hall effect. It is found that the growth of Tirr results in an increase of the RD production rate. It is suggested that the observed effect is related to an increase in the separation probability of close Frenkel pairs with the Tirr growth.
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215221
ISBN: 978-985-566-671-5
Sponsorship: Работа выполнена при частичной финансовой поддержке БРФФИ (проект Ф17МС-022).
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
163-167.pdf422,8 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.