Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215221
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМедведева, И. Ф.
dc.contributor.authorМурин, Л. И.
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.
dc.contributor.authorФадеева, Е. А.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:17Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:17Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 163-167.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215221-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractМетодами эффекта Холла и DLTS изучено влияние температуры облучения (Тобл.) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов (РД) в кремнии p-типа. Показано, что в области термической стабильности РД имеет место увеличение их скорости генерации с ростом Тобл.. Данный эффект обнаружен для междоузельных атомов углерода, а также для комплексов междоузельный углерод - междоузельный кислород и междоузельный бор - междоузельный кислород. Предполагается, что это обусловлено увеличением вероятности разделения близких пар Френкеля с ростом Тобл..
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при частичной финансовой поддержке БРФФИ (проект Ф17МС-022).
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа
dc.title.alternativeEffect of irradiation temperature (Tirr = 80–700 K) with fast electrons and 60 Co γ-rays on production of radiation-induced defects in p-type Si / I. F. Medvedeva, L. I. Murin, V. P. Markevich, S. B. Lastovskii, A. А. Fadzeyeva
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeEffect of irradiation temperature (Tirr) with fast electrons and 60Co γ-rays on the generation rate of radiation-induced defects (RDs) in p-type Si has been studied by means of DLTS and Hall effect. It is found that the growth of Tirr results in an increase of the RD production rate. It is suggested that the observed effect is related to an increase in the separation probability of close Frenkel pairs with the Tirr growth.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
163-167.pdf422,8 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.