Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215221| Заглавие документа: | Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа |
| Другое заглавие: | Effect of irradiation temperature (Tirr = 80–700 K) with fast electrons and 60 Co γ-rays on production of radiation-induced defects in p-type Si / I. F. Medvedeva, L. I. Murin, V. P. Markevich, S. B. Lastovskii, A. А. Fadzeyeva |
| Авторы: | Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Ластовский, С. Б. Фадеева, Е. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 163-167. |
| Аннотация: | Методами эффекта Холла и DLTS изучено влияние температуры облучения (Тобл.) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов (РД) в кремнии p-типа. Показано, что в области термической стабильности РД имеет место увеличение их скорости генерации с ростом Тобл.. Данный эффект обнаружен для междоузельных атомов углерода, а также для комплексов междоузельный углерод - междоузельный кислород и междоузельный бор - междоузельный кислород. Предполагается, что это обусловлено увеличением вероятности разделения близких пар Френкеля с ростом Тобл.. |
| Аннотация (на другом языке): | Effect of irradiation temperature (Tirr) with fast electrons and 60Co γ-rays on the generation rate of radiation-induced defects (RDs) in p-type Si has been studied by means of DLTS and Hall effect. It is found that the growth of Tirr results in an increase of the RD production rate. It is suggested that the observed effect is related to an increase in the separation probability of close Frenkel pairs with the Tirr growth. |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215221 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при частичной финансовой поддержке БРФФИ (проект Ф17МС-022). |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 163-167.pdf | 422,8 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.