Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164191
Title: Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типа
Authors: Медведева, И. Ф.
Мурин, Л. И.
Маркевич, В. П.
Гуринович, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2016
Publisher: Минск : Изд. центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 165–168.
Abstract: Методом эффекта Холла исследована эффективность образования радиационных дефектов в кристаллах n-Si (NP = 2*10^12—2*10^15 cм^-3) при облучении γ-квантами 60Со в интервале температур 77—470 К. Установлено, что при начальных дозах облучения n-Si практически все вакансии и междоузельные атомы кремния образуют электрически активные комплексы с примесями. Эффективность образования этих дефектов (А-, Е-центров, углеродосодержащих комплексов) определяется вероятностью разделения близких пар Френкеля и наиболее существенно зависит от положения уровня Ферми в облучаемых кристаллах.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/164191
ISBN: 978-985-553-403-8
Sponsorship: Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.
Appears in Collections:2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
С.165-168_Медведева.pdf407,83 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.