Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/164191| Заглавие документа: | Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типа |
| Авторы: | Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Гуринович, В. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 165–168. |
| Аннотация: | Методом эффекта Холла исследована эффективность образования радиационных дефектов в кристаллах n-Si (NP = 2*10^12—2*10^15 cм^-3) при облучении γ-квантами 60Со в интервале температур 77—470 К. Установлено, что при начальных дозах облучения n-Si практически все вакансии и междоузельные атомы кремния образуют электрически активные комплексы с примесями. Эффективность образования этих дефектов (А-, Е-центров, углеродосодержащих комплексов) определяется вероятностью разделения близких пар Френкеля и наиболее существенно зависит от положения уровня Ферми в облучаемых кристаллах. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/164191 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.165-168_Медведева.pdf | 407,83 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.