Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2016. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164191
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМедведева, И. Ф.-
dc.contributor.authorМурин, Л. И.-
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.-
dc.contributor.authorГуринович, В. А.-
dc.date.accessioned2016-12-29T15:39:39Z-
dc.date.available2016-12-29T15:39:39Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 165–168.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-403-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/164191-
dc.description.abstractМетодом эффекта Холла исследована эффективность образования радиационных дефектов в кристаллах n-Si (NP = 2*10^12—2*10^15 cм^-3) при облучении γ-квантами 60Со в интервале температур 77—470 К. Установлено, что при начальных дозах облучения n-Si практически все вакансии и междоузельные атомы кремния образуют электрически активные комплексы с примесями. Эффективность образования этих дефектов (А-, Е-центров, углеродосодержащих комплексов) определяется вероятностью разделения близких пар Френкеля и наиболее существенно зависит от положения уровня Ферми в облучаемых кристаллах.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОсновные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типаru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2016. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
С.165-168_Медведева.pdf407,83 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.