Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107967
Title: Модификация свойств кремниевых эпитаксиальных пленок обработкой в водородной плазме
Authors: Покотило, Ю. М.
Петух, А. Н.
Литвинов, В. В.
Маркевич, В. П.
Ксеневич, В. К.
Смирнова, О. Ю.
Стельмах, Г. Ф.
Мазаник, А. В.
Королик, О. В.
Гиро, А. В.
Пальмера Д. Мигель А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: Исследовались структуры Si/P+, обработанные в водородной плазме. Ориентация подложки <111>, толщина 510-540 мкм. Эпитаксиальный слой толщиной (55.2-64,8) мкм легирован фосфором (ρ= 1 Омсм). Обработка структур в водородной плазме проводилась при температуре 150°С в течение 10 часов. Были также проведены исследования изохронного (20 мин) отжига профилей распределения концентрации электронов в диодах Шоттки, облученных протонами с энергией 300 кэВ. Установлено, что в кремнии, обработанном в водородной плазме и имплантированном протонами, образуется новый тип Н-доноров, без участия радиационных дефектов и без последующей термообработки.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/107967
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.79-81.pdf240,9 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.