Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107967| Title: | Модификация свойств кремниевых эпитаксиальных пленок обработкой в водородной плазме |
| Authors: | Покотило, Ю. М. Петух, А. Н. Литвинов, В. В. Маркевич, В. П. Ксеневич, В. К. Смирнова, О. Ю. Стельмах, Г. Ф. Мазаник, А. В. Королик, О. В. Гиро, А. В. Пальмера Д. Мигель А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | Исследовались структуры Si/P+, обработанные в водородной плазме. Ориентация подложки <111>, толщина 510-540 мкм. Эпитаксиальный слой толщиной (55.2-64,8) мкм легирован фосфором (ρ= 1 Омсм). Обработка структур в водородной плазме проводилась при температуре 150°С в течение 10 часов. Были также проведены исследования изохронного (20 мин) отжига профилей распределения концентрации электронов в диодах Шоттки, облученных протонами с энергией 300 кэВ. Установлено, что в кремнии, обработанном в водородной плазме и имплантированном протонами, образуется новый тип Н-доноров, без участия радиационных дефектов и без последующей термообработки. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107967 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.79-81.pdf | 240,9 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.