Модификация свойств кремниевых эпитаксиальных пленок обработкой в водородной плазме

Abstract

Исследовались структуры Si/P+, обработанные в водородной плазме. Ориентация подложки <111>, толщина 510-540 мкм. Эпитаксиальный слой толщиной (55.2-64,8) мкм легирован фосфором (ρ= 1 Омсм). Обработка структур в водородной плазме проводилась при температуре 150°С в течение 10 часов. Были также проведены исследования изохронного (20 мин) отжига профилей распределения концентрации электронов в диодах Шоттки, облученных протонами с энергией 300 кэВ. Установлено, что в кремнии, обработанном в водородной плазме и имплантированном протонами, образуется новый тип Н-доноров, без участия радиационных дефектов и без последующей термообработки.