Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292835| Заглавие документа: | Влияние электрического поля на образование радиационно-индуцированных центров в кремний-германиевых сплавах p-типа при облучении альфа-частицами |
| Другое заглавие: | Effect of electric field on formation of radiation-induced defects in p-type silicon-germanium alloys upon irradiation with alfa particles / D. N. Jdanovich, N. E. Jdanovich, S. B. Lastovskii, V.P. Markevich, I. F. Medvedeva, D. А. Aharodnikau, A. A. Fadzeyeva |
| Авторы: | Жданович, Д. Н. Жданович, Н. Е. Ластовский, С. Б. Маркевич, В. П. Медведева, И. Ф. Огородников, Д. А. Фадеева, Е. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 254-259. |
| Аннотация: | Показано, что при облучении альфа частицами обратно-смещенных диодных структур на основе кристаллов р-SiGe скорость удаления основных носителей заряда значительно снижена в области пространственного заряда (ОПЗ) диодов по сравнению с квазинейтральной областью. Наблюдаемый эффект связан с инжекционно-ускоренной миграцией собственных межузельных атомов кремния и их взаимодействием с другими дефектами решетки в ОПЗ диодов во время облучения |
| Аннотация (на другом языке): | It is found that the removal rate of majority charge carriers is significantly reduced in depleted regions of reverse-biased SiGe-based n + –p-diodes compared to that in the neutral regions upon irradiation with alfa particles. The observed effect is related to injection-enhanced mobility of Si self-interstitial atoms and their interactions with other lattice defects in the depleted regions of the diodes during irradiation |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292835 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 254-259.pdf | 1,03 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.