Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292835Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жданович, Д. Н. | |
| dc.contributor.author | Жданович, Н. Е. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Маркевич, В. П. | |
| dc.contributor.author | Медведева, И. Ф. | |
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Фадеева, Е. А. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:59Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:59Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 254-259. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292835 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Показано, что при облучении альфа частицами обратно-смещенных диодных структур на основе кристаллов р-SiGe скорость удаления основных носителей заряда значительно снижена в области пространственного заряда (ОПЗ) диодов по сравнению с квазинейтральной областью. Наблюдаемый эффект связан с инжекционно-ускоренной миграцией собственных межузельных атомов кремния и их взаимодействием с другими дефектами решетки в ОПЗ диодов во время облучения | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние электрического поля на образование радиационно-индуцированных центров в кремний-германиевых сплавах p-типа при облучении альфа-частицами | |
| dc.title.alternative | Effect of electric field on formation of radiation-induced defects in p-type silicon-germanium alloys upon irradiation with alfa particles / D. N. Jdanovich, N. E. Jdanovich, S. B. Lastovskii, V.P. Markevich, I. F. Medvedeva, D. А. Aharodnikau, A. A. Fadzeyeva | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | It is found that the removal rate of majority charge carriers is significantly reduced in depleted regions of reverse-biased SiGe-based n + –p-diodes compared to that in the neutral regions upon irradiation with alfa particles. The observed effect is related to injection-enhanced mobility of Si self-interstitial atoms and their interactions with other lattice defects in the depleted regions of the diodes during irradiation | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 254-259.pdf | 1,03 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.