Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223454| Title: | Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:B |
| Authors: | Коршунов, Ф. П. Богатырев, Ю. В. Ластовский, С. Б. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Абросимов, Н. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2007 |
| Publisher: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 119-121. |
| Abstract: | Рассмотрено влияние изохронного отжига на время жизни неосновных носителей заряда (т) и прямое падение напряжения (Unp) в облученных электронами с энергией 4 МэВ диодных n+-p-структурах, изготовленных на сплавах Si1-xGex:В. Методом релаксационной емкостной спектроскопии (DLTS) определены доминирующие радиационные дефекты и температура их отжига. Установлена корреляция между восстановлением величин т и Unp и уменьшением концентрации радиационных дефектов при отжиге. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223454 |
| ISBN: | 978-985-476-530-3 |
| Appears in Collections: | 2007. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 119-121.pdf | 618,59 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.