Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223454| Заглавие документа: | Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:B |
| Авторы: | Коршунов, Ф. П. Богатырев, Ю. В. Ластовский, С. Б. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Абросимов, Н. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2007 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 119-121. |
| Аннотация: | Рассмотрено влияние изохронного отжига на время жизни неосновных носителей заряда (т) и прямое падение напряжения (Unp) в облученных электронами с энергией 4 МэВ диодных n+-p-структурах, изготовленных на сплавах Si1-xGex:В. Методом релаксационной емкостной спектроскопии (DLTS) определены доминирующие радиационные дефекты и температура их отжига. Установлена корреляция между восстановлением величин т и Unp и уменьшением концентрации радиационных дефектов при отжиге. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223454 |
| ISBN: | 978-985-476-530-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2007. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 119-121.pdf | 618,59 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.