Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223454
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorМурин, Л. И.-
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.-
dc.contributor.authorАбросимов, Н. В.-
dc.date.accessioned2019-07-11T07:57:32Z-
dc.date.available2019-07-11T07:57:32Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 119-121.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-530-3-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/223454-
dc.description.abstractРассмотрено влияние изохронного отжига на время жизни неосновных носителей заряда (т) и прямое падение напряжения (Unp) в облученных электронами с энергией 4 МэВ диодных n+-p-структурах, изготовленных на сплавах Si1-xGex:В. Методом релаксационной емкостной спектроскопии (DLTS) определены доминирующие радиационные дефекты и температура их отжига. Установлена корреляция между восстановлением величин т и Unp и уменьшением концентрации радиационных дефектов при отжиге.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:Bru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2007. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
119-121.pdf618,59 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.