Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/38168| Title: | ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ |
| Authors: | Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. Коршунов, Ф. П. Ластовский, С. Б. Гусаков, В. Е. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.146-149 |
| Series/Report no.: | Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество; |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/38168 |
| ISBN: | 978-985-553-079-5 |
| Appears in Collections: | 2012. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Медведева, Мурин....pdf | 315,76 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.