Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/38168
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМедведева, И. Ф.-
dc.contributor.authorМурин, Л. И.-
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.-
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorГусаков, В. Е.-
dc.date.accessioned2013-03-20T19:57:01Z-
dc.date.available2013-03-20T19:57:01Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.146-149ru
dc.identifier.isbn978-985-553-079-5-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/38168-
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.relation.ispartofseriesВузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;-
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2012. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Медведева, Мурин....pdf315,76 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.