Logo BSU

Browsing by Author Ластовский, С. Б.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 40  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2010Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном боромМакаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2003Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условияхБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2001Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.; Ануфриев, Л. П.; Рубцевич, И. И.; Голубев, Н. Ф.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2019Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазовАзарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Ластовский, С. Б.; Комар, В. А.
2019Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазовАзарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Ластовский, С. Б.; Комар, В. А.
1999Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 КЛастовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т.
2016Влияние электронного облучения на характеристики кремниевых биполярных транзисторовМолчанов, Д. В.; Ластовский, С. Б.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2001Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структурПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.
2014Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодахЛастовский, С. Б.; Коршунов, Ф. П.; Якушевич, А. С.; Латушко, Я. И.; Макаренко, Л. Ф.
2007Использование численного моделирования для интерпретации данных емкостной спектроскопии кремниевых структур, облученных нейтронамиМакаренко, Л. Ф.; Замятин, Н. И.; Ластовский, С. Б.
2014Исследование защитных свойств экранов на основе композита W-Cu для изделий электронной техники от протонов радиационных поясов ЗемлиЯкушевич, А. С.; Ластовский, С. Б.; Богатырев, Ю. В.; Грабчиков, С. С.; Василенков, Н. А.
2014Механизмы и модели радиационного повреждения современных кремниевых детекторов для суперколлайдеров : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Л. Ф. МакаренкоМакаренко, Л. Ф.; Ластовский, С. Б.; Латушко, Я. И.; Левчук, E. A.
2018Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ транзисторахОгородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.
2021Образование вакансионно-кислородных центров VO5 и VO6 в кристаллах кремния при радиационно-термических обработкахТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.