Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205870| Заглавие документа: | Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур |
| Другое заглавие: | Inductive impedance of irradiated by electron semiconductor barrier structures / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.B. Lastovski, A.V. Lapanik |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Ластовский, С. Б. Лапаник, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 285-287. |
| Аннотация: | в работе продемонстрирована возможность увеличения импеданса индуктивного типа кремниевых диодов с плавным рп-переходом и барьеров Шоттки при облучении их электронами с анергией 3.5 МэВ. Выполнены измерения, подтверждающие инерционно-релаксационный характер индуктивности в облученных барьерных структурах. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205870 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 285-287.pdf | 722,62 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.