Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205870
Title: Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур
Other Titles: Inductive impedance of irradiated by electron semiconductor barrier structures / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.B. Lastovski, A.V. Lapanik
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Ластовский, С. Б.
Лапаник, А. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 285-287.
Abstract: в работе продемонстрирована возможность увеличения импеданса индуктивного типа кремниевых диодов с плавным рп-переходом и барьеров Шоттки при облучении их электронами с анергией 3.5 МэВ. Выполнены измерения, подтверждающие инерционно-релаксационный характер индуктивности в облученных барьерных структурах.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/205870
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
285-287.pdf722,62 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.