Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205870| Title: | Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур |
| Other Titles: | Inductive impedance of irradiated by electron semiconductor barrier structures / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.B. Lastovski, A.V. Lapanik |
| Authors: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Ластовский, С. Б. Лапаник, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 285-287. |
| Abstract: | в работе продемонстрирована возможность увеличения импеданса индуктивного типа кремниевых диодов с плавным рп-переходом и барьеров Шоттки при облучении их электронами с анергией 3.5 МэВ. Выполнены измерения, подтверждающие инерционно-релаксационный характер индуктивности в облученных барьерных структурах. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205870 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 285-287.pdf | 722,62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.