Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур

Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205870

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Поклонский, Н. А.	-
dc.contributor.author	Горбачук, Н. И.	-
dc.contributor.author	Ластовский, С. Б.	-
dc.contributor.author	Лапаник, А. В.	-
dc.date.accessioned	2018-09-11T06:17:13Z	-
dc.date.available	2018-09-11T06:17:13Z	-
dc.date.issued	2001	-
dc.identifier.citation	Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 285-287.	ru
dc.identifier.isbn	985-445-236-0	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/205870	-
dc.description.abstract	в работе продемонстрирована возможность увеличения импеданса индуктивного типа кремниевых диодов с плавным рп-переходом и барьеров Шоттки при облучении их электронами с анергией 3.5 МэВ. Выполнены измерения, подтверждающие инерционно-релаксационный характер индуктивности в облученных барьерных структурах.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	Минск : БГУ	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур	ru
dc.title.alternative	Inductive impedance of irradiated by electron semiconductor barrier structures / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.B. Lastovski, A.V. Lapanik	ru
dc.type	conference paper	ru
Appears in Collections:	2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
285-287.pdf		722,62 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar