Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205870Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Лапаник, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-09-11T06:17:13Z | - |
| dc.date.available | 2018-09-11T06:17:13Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 285-287. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205870 | - |
| dc.description.abstract | в работе продемонстрирована возможность увеличения импеданса индуктивного типа кремниевых диодов с плавным рп-переходом и барьеров Шоттки при облучении их электронами с анергией 3.5 МэВ. Выполнены измерения, подтверждающие инерционно-релаксационный характер индуктивности в облученных барьерных структурах. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур | ru |
| dc.title.alternative | Inductive impedance of irradiated by electron semiconductor barrier structures / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.B. Lastovski, A.V. Lapanik | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 285-287.pdf | 722,62 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.