Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204297
Title: Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структур
Other Titles: Influence of radiation defects on power bipolar transistor structures parameters / F.P.Korshunov, Yu.V.Bogatyrev, S.B.Lastovsky, V.I.Kulgachev, L.P.Anufriev, l.l.Rubtsevich, N.F.Golubev
Authors: Коршунов, Ф. П.
Богатырев, Ю. В.
Ластовский, С. Б.
Кульгачев, В. И.
Ануфриев, Л. П.
Рубцевич, И. И.
Голубев, Н. Ф.
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 164-166
Abstract: Рассмотрены изменения основных параметров мощных биполярных транзисторных структур при воздействии электронов с энергией 4 МэВ и гамма-излучения Со. Определены доминирующие радиационные дефекты, влияющие на параметры структур.
Abstract (in another language): The changes of main dynamic and static parameters of power transistor structures under 4 MeV electron and Co gamma-Irradiation have considered. Main radiation defects (A-centers, divacancles, other dopant-defect complexes) in n-collector layer have been determined by DLTS. The interrelationship between the dynamic transistor parameters and the dominant defect (A-center) concentration has been established.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204297
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
164-166.pdf718,08 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.