Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204297| Title: | Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структур |
| Other Titles: | Influence of radiation defects on power bipolar transistor structures parameters / F.P.Korshunov, Yu.V.Bogatyrev, S.B.Lastovsky, V.I.Kulgachev, L.P.Anufriev, l.l.Rubtsevich, N.F.Golubev |
| Authors: | Коршунов, Ф. П. Богатырев, Ю. В. Ластовский, С. Б. Кульгачев, В. И. Ануфриев, Л. П. Рубцевич, И. И. Голубев, Н. Ф. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 164-166 |
| Abstract: | Рассмотрены изменения основных параметров мощных биполярных транзисторных структур при воздействии электронов с энергией 4 МэВ и гамма-излучения Со. Определены доминирующие радиационные дефекты, влияющие на параметры структур. |
| Abstract (in another language): | The changes of main dynamic and static parameters of power transistor structures under 4 MeV electron and Co gamma-Irradiation have considered. Main radiation defects (A-centers, divacancles, other dopant-defect complexes) in n-collector layer have been determined by DLTS. The interrelationship between the dynamic transistor parameters and the dominant defect (A-center) concentration has been established. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204297 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 164-166.pdf | 718,08 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.