Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204297Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Коршунов, Ф. П. | - |
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Кульгачев, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Ануфриев, Л. П. | - |
| dc.contributor.author | Рубцевич, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Голубев, Н. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T10:41:54Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T10:41:54Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 164-166 | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204297 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены изменения основных параметров мощных биполярных транзисторных структур при воздействии электронов с энергией 4 МэВ и гамма-излучения Со. Определены доминирующие радиационные дефекты, влияющие на параметры структур. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структур | ru |
| dc.title.alternative | Influence of radiation defects on power bipolar transistor structures parameters / F.P.Korshunov, Yu.V.Bogatyrev, S.B.Lastovsky, V.I.Kulgachev, L.P.Anufriev, l.l.Rubtsevich, N.F.Golubev | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | The changes of main dynamic and static parameters of power transistor structures under 4 MeV electron and Co gamma-Irradiation have considered. Main radiation defects (A-centers, divacancles, other dopant-defect complexes) in n-collector layer have been determined by DLTS. The interrelationship between the dynamic transistor parameters and the dominant defect (A-center) concentration has been established. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 164-166.pdf | 718,08 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.