Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204376
Title: Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 К
Other Titles: Electron irradiation influence on conductance and capacity of silicon diffused p-n-junctions at 4,2-80 K / S. B. Lastovski, V. A. Gurinovitch, N. E. Zdanovitch, N. A. Poklonski, V. T. Troschinski
Authors: Ластовский, С. Б.
Гуринович, В. А.
Жданович, Н. Е.
Поклонский, Н. А.
Трощинский, В. Т.
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 121-123.
Abstract: Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов ведет к уменьшению емкости и проводимости при T = 22+80 К в результате введения радиационных дефектов. При этом с ростом флюенса электронов участок резкого уменьшения емкости при 22+30 К и соответствующий ему максимум проводимости смещаются в область более высоких температур в результате увеличения степени компенсации п-области.
Abstract (in another language): The influence of the irradiation by electrons with E=4 MeV on capacity C and conductance G of the silicon diffused p-n-|imctions at 4,2+80 K have been investigated. On the capacity temperature dependencies of the initial samples two regions of к abrupt decrease (at 40+65 and 22+30 K) up to the geometrical capacity values have been found, and on the G (T) dependencies - two maximums. It is shown that it is caused by the freezing-out of the charge carriers on the aluminum acceptor levels in p-region and on the phosphorous donor levels in n-region. It is established, that with electron fluence increase C and G values mainly decrease at 22+80 K as the result of the radiation defects introduction. In that case the shift in the higher temperature region of the second region of the capacity abrupt decrease and the relevant conductance maximum is watched. It is supposed that it is caused by the decrease of the donor centers thermal ionization energy at the expense of the n-region compensation at irradiation.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204376
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
121-123.pdf252,66 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.