Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204376| Заглавие документа: | Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 К |
| Другое заглавие: | Electron irradiation influence on conductance and capacity of silicon diffused p-n-junctions at 4,2-80 K / S. B. Lastovski, V. A. Gurinovitch, N. E. Zdanovitch, N. A. Poklonski, V. T. Troschinski |
| Авторы: | Ластовский, С. Б. Гуринович, В. А. Жданович, Н. Е. Поклонский, Н. А. Трощинский, В. Т. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 121-123. |
| Аннотация: | Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов ведет к уменьшению емкости и проводимости при T = 22+80 К в результате введения радиационных дефектов. При этом с ростом флюенса электронов участок резкого уменьшения емкости при 22+30 К и соответствующий ему максимум проводимости смещаются в область более высоких температур в результате увеличения степени компенсации п-области. |
| Аннотация (на другом языке): | The influence of the irradiation by electrons with E=4 MeV on capacity C and conductance G of the silicon diffused p-n-|imctions at 4,2+80 K have been investigated. On the capacity temperature dependencies of the initial samples two regions of к abrupt decrease (at 40+65 and 22+30 K) up to the geometrical capacity values have been found, and on the G (T) dependencies - two maximums. It is shown that it is caused by the freezing-out of the charge carriers on the aluminum acceptor levels in p-region and on the phosphorous donor levels in n-region. It is established, that with electron fluence increase C and G values mainly decrease at 22+80 K as the result of the radiation defects introduction. In that case the shift in the higher temperature region of the second region of the capacity abrupt decrease and the relevant conductance maximum is watched. It is supposed that it is caused by the decrease of the donor centers thermal ionization energy at the expense of the n-region compensation at irradiation. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204376 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 121-123.pdf | 252,66 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.