| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 1999 | Модификация свойств III-V материалов c использованием сложного легирования | Большакова, И. А.; Круковский, С. И.; Мрыхин, И. А. |
| 1999 | Физика и технология трансмутационного легирования арсенида галлия | Быковский, В. А.; Хитько, В. И. |
| 1999 | Двойная ионная имплантация сурьмы и фосфора как метод создания тонких n+-слоев в кремнии | Соловьев, В. С.; Мильчанин, О. В. |
| 1999 | Формирование скрытых изолирующих слоёв в кремнии при субстехиометрической имплантации ионов азота | Комаров, Ф. Ф.; Колковский, В. И. |
| 1999 | Устойчивость методов косвенной дозиметрии ионной имплантации | Гурский, Л. И.; Киселев, В. И.; Хитько, В. И. |
| 1999 | Surface modification of refractory alloys with high-power pulsed ion-beam treatment and arc-pulsed ion implantation | Shulov, V. A.; Nochovnaya, N. A.; Remnev, G. E.; Ryabchikov, A. I. |
| 1999 | Особенности применения линзы для фокусировки рентгеновских лучей | Дудчик, Ю. И.; Кольчевский, Н. Н.; Комаров, Ф. Ф. |
| 1999 | Влияние доз имплантации фосфора на время жизни т в p-Si | Подвальный, Л. С.; Плаксин, С. Е. |
| 1999 | The application of atomic hydrogen effects in silicon and silicon electronic devices technologies | Ulyashin, A. G.; Fedotov, A. K. |
| 1999 | Установка для ионной имплантации металлов | Карват, Ч.; Жуковски, П.; Козак, М.; Кищак, К.; Лиськевич, Е. |
| 1999 | The mechanisms of element redistribution in the surface layer of multicomponent alloys during their irradiation by high power pulsed ion beams | Shulov, V. A.; Nochovnaya, N. A.; Remnev, G. E.; Kalenov, V. A. |
| 1999 | Трибологические свойства углеродных покрытий, осажденных на алюминий | Углов, В. В.; Черенда, Н. Н.; Кулешов, А. К. |
| 1999 | Структура и оптические свойства гранулярных пленок серебра, сформированных имплантацией ионов Ag+ в вязкий полимер | Хайбуллин, Р. И.; Осин, Ю. Н.; Степанов, А. Л.; Хайбуллин, И. Б.; Кондюрин, А. В.; Попок, В. Н. |
| 1999 | Лазерный отжиг многослойной полупроводниковом структуры GaAIAs / GaAs / GaAIAs / GaAI | Маркевич, М. И.; Подольцев, А. С.; Пискунов, Ф. А.; Чень Чао; Лю И |
| 1999 | Роль предварительного облучения и нагрева подложки в модификации переходного слоя и механических свойств покрытий TiN | Ходасевич, В. В.; Солодухин, И. А. |
| 1999 | Влияние постоянного магнитного поля на зернограничную диффузию 63Ni в поликристаллическом кобальте | Миронов, Д. В.; Покоев, А. В. |
| 1999 | Повышение критического тока сверхпроводника легированием элементами в плазме низкого давления | Тулеушев, А. Ж.; Тулеушев, Ю. Ж.; Лисицын, В. Н.; Ким, С. Н.; Володин, В. Н.; Асанов, А. Б. |
| 1999 | Модификация свойств ионно-имплантированных слоев полиэтилена последующей диффузией | Оджаев, В. Б.; Янковский, О. Н.; Козлова, Е. И.; Козлов, И. П. |
| 1999 | Аморфные углеродные покрытия на быстрорежущей стали | Углов, В. В.; Кулешов, А. К.; Русальский, Д. П. |
| 1999 | Радиационно-стимулированная диффузия гетеровалентной примеси в KBr | Суржиков, А. П.; Притулов, А. М.; Гынгазов, С. А.; Чернявский, А. В. |
