Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206646| Заглавие документа: | Двойная ионная имплантация сурьмы и фосфора как метод создания тонких n+-слоев в кремнии |
| Другое заглавие: | Double ion implantation of Sb+ and P+ as a method for creating of the thin n+-layers in Si / V.S.Solov'yev, O.V.Milchanin |
| Авторы: | Соловьев, В. С. Мильчанин, О. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 201-203. |
| Аннотация: | Представлен метод получения бездефектных тонких n* слоев и мелкозалегающих (-210 нм) n*/р переходов в Si. Метод включает в себя двойную имплантацию Sb* и Р* (60 и 20 кэВ соответственно) с последующей стационарной термообработкой (до 850°С). Выбранные условия имплантации (доза, энергия) предполагают компенсацию напряжений несоответствия (КНН). Наблюдается значительно меньшее перераспределение фосфора и высокая степень активации легирующей примеси. Предполагается, что в условиях KHH участие собственных междоузельных атомов Si в процессах образования дислокационных петель и перераспределения примесей подавляется. |
| Аннотация (на другом языке): | A method for creating of thin defect-free n*-layers and shallow n*/p junctions (~210 nm) in Si is presented. This technique includes double implantation of Sb* and P* (60 and 20 keV respectively) with the following stationary furnace annealing (up to 850"C). The implantation conditions (dose, energy) bring to compensation of misfit stress. The substantially smaller redistribution of phosphorus and high activation of dopand is established. We propose that in stress-relaxed conditions the influence selfinterstitial Si atoms upon dopand redistribution and dislocation loops formation is suppressed. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206646 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 201-203.pdf | 2,93 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.